Descriptif produit :
Dimension (mm): L 10.65 x l 4.85 x H 19.6
Technologie: MOSFET
Polarité: Canal N

Descriptif produit :
Transistor mosfet de puissance Canal N
Courant débité continue (Id): 17A
Tension drain-source max. (Vds): 800V

Descriptif produit :
Transistor Mosfet Hexfet canal N unipolaire
Tension drain-source (Vdss) : 60V
Courant de drain continu (Id) :160A

Descriptif produit :
Transistor Mosfet HEXFET canal N 100 V 36A TO-220AB
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant de drain continu (Id) 36A@25°C

Descriptif produit :
Transistor Mosfet Hexfet canal P
Tension drain-source (Vdss) : -30V
Courant de drain continu (Id) :-10 A@25°°C

Descriptif produit :
Transistor RF Bipolaire NPN faible bruit
V(br)ceo: 12V
Fréquence de transition ft: 8GHz

Descriptif produit :
DIODE DE COMMUTATION RAPIDE CMS SOT23

Descriptif produit :
Transistor Mosfet canal N BSP320S
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant de drain continu (Id) -2.9A@25°C

Descriptif produit :
Transistor mosfet de puissance Canal N
Tension drain-source (Vdss): 200V
Courant - Drain continu (Id) : 88A

Descriptif produit :
MOSFET P -60V 0.023 Ohms -80A TO263-3

Descriptif produit :
Transistor Mosfet canal N 120 V 44A D-PAK TDSON-8
Tension drain-source (Vds) : 120V
Courant de drain continu (Id) : 44A @Tc 25°C

Descriptif produit :
Transistor MOSFET OptiMOS 5
Canal N
Vds = 80V

Descriptif produit :
Transistor MOSFET OptiMOS
Canal N
Vds = 60V

Descriptif produit :
Transistor Mosfet Hexfet canal N unipolaire
Tension drain-source (Vdss) : 55V
Courant de drain continu (Id) :18A

Descriptif produit :
Transistor RF Bipolaire NPN faible bruit
V(br)ceo: 12V
Fréquence de transition ft: 8GHz